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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFPAK56-5
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	60 A
Rds On-漏源导通电阻	12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	64 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	130 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	5 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100V 12 mOhms Standard Level MOSFET in LFPAK
宽度	4.1 mm
商标	Nexperia
下降时间	25 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	31 ns
工厂包装数量	1500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	52.5 ns
典型接通延迟时间	23 ns
单位重量	85.100 mg

商品其它信息

优势价格，PSMN012-100YS,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HGTG30N60A4	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series	1:¥50.1042 10:¥45.3356 25:¥43.1886 100:¥37.4934	参考库存:5142
SMMBT3904LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR	1:¥2.147 10:¥1.4577 100:¥0.60681 1,000:¥0.41471 3,000:¥0.32318	参考库存:343360
FGB5N60UNDF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT	1:¥13.7521 10:¥11.6842 100:¥9.2999 500:¥8.1473 800:¥6.78	参考库存:6313
MJL4281AG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN	1:¥45.6407 10:¥41.2676 25:¥39.3466 100:¥34.1938	参考库存:5218
PHP45NQ10T,127	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RAIL PWR-MOS	1:¥11.752 10:¥9.9892 100:¥7.9891 500:¥6.9947	参考库存:9135