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晶体管
FGH40T65UQDF-F155参考图片

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FGH40T65UQDF-F155

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库存:3,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.2727
30.2727
10
¥25.7414
257.414
100
¥22.2836
2228.36
250
¥21.131
5282.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.33 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
231 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40T65UQDF_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40T65UQDF-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:5520
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:6883
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
3,000:¥6.3054
参考库存:7435
晶体管
MOSFET SupreMOS 13A
1:¥24.3628
10:¥20.6677
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3455
晶体管
MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:7700
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