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晶体管
FGH40T65UQDF-F155参考图片

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FGH40T65UQDF-F155

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库存:3,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.2727
30.2727
10
¥25.7414
257.414
100
¥22.2836
2228.36
250
¥21.131
5282.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.33 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
231 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40T65UQDF_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40T65UQDF-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
参考库存:83693
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:33548
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,033.1929
参考库存:33551
晶体管
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527:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥5.9212
5,000:¥5.7065
参考库存:33554
晶体管
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1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:7204
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