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晶体管
SIHA30N60AEL-GE3参考图片

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SIHA30N60AEL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:4,364(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥39.1884
391.884
100
¥32.2728
3227.28
250
¥31.2784
7819.6
500
¥28.0466
14023.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EL
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA30N60AEL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:40389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥447.593
5:¥428.7672
10:¥421.2414
25:¥394.8785
参考库存:40392
晶体管
达林顿晶体管 TO92,NPN,0.5A,30V Darlington
6,000:¥0.45313
10,000:¥0.40002
参考库存:40395
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥80.3769
250:¥73.3822
500:¥68.6927
1,000:¥61.3138
参考库存:40398
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥3.1527
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5764
参考库存:40401
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