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晶体管
SQD50N06-09L_GE3参考图片

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SQD50N06-09L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:4,586(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.409
44.409
10
¥39.6517
396.517
100
¥32.4988
3249.88
250
¥28.815
7203.75
2,000
¥20.4417
40883.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQD50N06-09L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:2947
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:10085
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 50MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:15506
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:6507
晶体管
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:2899
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