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晶体管
QPD1009参考图片

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QPD1009

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
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库存:3,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥238.204
238.204
25
¥206.0103
5150.2575
100
¥178.1897
17818.97
250
¥165.7484
41437.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
700 mA
输出功率
17 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
17.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1009-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132865
商品其它信息
优势价格,QPD1009的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO PWR PNP PW TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:12167
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥40.115
10:¥34.1147
100:¥29.5834
250:¥28.0466
1,000:¥21.2101
2,000:查看
参考库存:3565
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
参考库存:5542
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:6808
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
2,500:¥3.2883
参考库存:7079
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