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晶体管
BSM50GB60DLC参考图片

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BSM50GB60DLC

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库存:4,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥452.9718
452.9718
5
¥442.7566
2213.783
10
¥425.4676
4254.676
25
¥411.7833
10294.5825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GB60DLCHOSA1 SP000100471
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,BSM50GB60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥2.7572
100:¥1.8645
500:¥1.5029
1,000:¥1.12209
3,000:¥1.02943
参考库存:12475
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
2,500:¥5.4918
5,000:查看
参考库存:9837
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5655
晶体管
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
9,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:30793
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