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晶体管
IPP120P04P4L-03参考图片

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IPP120P04P4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存：9,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPP120P04P4L03AKSA1 IPP12P4P4L3XK SP000842300
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP120P04P4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI5402DC-T2
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
暂无价格
参考库存:45120
RJK5020DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥63.4721
10:¥57.0876
25:¥52.0252
50:¥48.251
参考库存:45123
RJH60M3DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.12
10:¥24.2046
25:¥21.8203
50:¥20.8259
参考库存:45126
MMBT2907ALT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:45129
TSM70N750CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:45132
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