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晶体管
IPP120P04P4L-03参考图片

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IPP120P04P4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存:9,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPP120P04P4L03AKSA1 IPP12P4P4L3XK SP000842300
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP120P04P4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC
1:¥8.2264
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8025
4,000:¥3.3674
8,000:查看
参考库存:7257
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:3575
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
1:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥16.0573
250:¥15.2098
参考库存:6518
晶体管
MOSFET NCH+NCH 10A 24V 2.5V DRIV
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
5,000:¥1.11418
参考库存:9941
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
2,500:¥2.8476
10,000:查看
参考库存:15760
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