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晶体管
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IPW65R190CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R19CFDXK SP000905376
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R190CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4421DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20 Volt 14 Amp
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
2,500:¥8.1473
参考库存:23422
IPI45N06S4L08AKSA3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
参考库存:2219
IRF1104PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
1,000:¥6.3958
参考库存:14668
SQD30N05-20L_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.4469
100:¥8.3733
500:¥7.119
2,000:¥5.0624
4,000:查看
参考库存:5821
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC-70
1:¥4.1471
10:¥3.164
100:¥2.3504
500:¥1.9323
3,000:¥1.356
6,000:查看
参考库存:3990
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