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晶体管
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IPW65R190CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R19CFDXK SP000905376
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R190CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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1:¥9.4468
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100:¥5.7856
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4,000:¥1.02152
参考库存:5353
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