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晶体管
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IPW65R190CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R19CFDXK SP000905376
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R190CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD10P6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
1:¥6.9156
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:6802
BSS138N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:227561
SI4420BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm
1:¥7.2998
2,500:¥7.2998
参考库存:6090
RE1C001UNTCL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:8271
FS30R06VE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥159.9063
5:¥158.2113
10:¥147.4537
25:¥140.8432
参考库存:1971
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