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晶体管
TK39J60W5,S1VQ参考图片

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TK39J60W5,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
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数量单价合计
1
¥84.9082
84.9082
10
¥76.4558
764.558
25
¥69.6984
1742.46
100
¥62.8506
6285.06
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK39J60W5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK39J60W5,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥1,149.7524
100:¥1,149.7524
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JANSR2N3635UB
Microsemi
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暂无价格
参考库存:36083
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MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
1:¥23.9786
10:¥20.3626
100:¥17.6732
250:¥16.7466
参考库存:2121
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