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晶体管
A2P75S12M3-F参考图片

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A2P75S12M3-F

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥471.6394
471.6394
5
¥461.04
2305.2
10
¥443.0617
4430.617
25
¥428.7672
10719.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
454.5 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2P75S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格，A2P75S12M3-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
暂无价格
参考库存:30702
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4852
MRF6VP3091NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
500:¥682.1132
参考库存:30707
STFU13N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1,000:¥6.8026
2,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30710
NGTD8R65F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECTIF
1,072:¥3.2318
2,500:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:30713
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