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晶体管
A2P75S12M3-F参考图片

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A2P75S12M3-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:3,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥471.6394
471.6394
5
¥461.04
2305.2
10
¥443.0617
4430.617
25
¥428.7672
10719.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
454.5 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2P75S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2P75S12M3-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:7534
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.1362
25:¥10.1474
100:¥9.2208
2,000:¥5.9438
参考库存:25149
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.831
参考库存:14539
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
参考库存:25154
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:4659
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