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晶体管

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FF225R12ME4_B11

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数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4B11BPSA1 SP000691802
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310HS/CFM4F///REEL 13
1:¥743.653
5:¥729.2116
10:¥705.1652
25:¥675.2654
参考库存:23562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Complementary Bpolar Digital Transistor
1:¥2.3843
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
10,000:¥0.31527
20,000:查看
参考库存:11263
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
1,000:¥11.30
参考库存:5421
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:6936
晶体管
MOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥7.0738
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,500:¥2.8928
9,000:查看
参考库存:13458
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