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晶体管

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FF225R12ME4_B11

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数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4B11BPSA1 SP000691802
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:74534
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1 A PNP medium power transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:6246
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.92208
10:¥0.82264
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.15368
参考库存:58284
晶体管
MOSFET NFET 60V 3A 0.100R
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7459
2,000:¥2.3165
参考库存:6097
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 15V 0.5A
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:8358
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