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晶体管

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FF225R12ME4_B11

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数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4B11BPSA1 SP000691802
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/400
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
2,000:¥0.36838
参考库存:26255
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.4634
1,000:¥1.8306
参考库存:6930
晶体管
MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:4556
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.8422
参考库存:3371
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
暂无价格
参考库存:14439
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