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晶体管

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FF225R12ME4_B11

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数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4B11BPSA1 SP000691802
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:7162
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
1:¥26.668
100:¥25.5832
500:¥24.3628
参考库存:8325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847CQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:12389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.03734
参考库存:7440
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nch MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.6104
100:¥3.2318
500:¥2.9945
1,000:¥2.6103
参考库存:5677
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