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晶体管

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FS25R12KE3G

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数量单价合计
1
¥490.1601
490.1601
5
¥479.1765
2395.8825
10
¥460.4298
4604.298
25
¥445.5929
11139.8225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS25R12KE3GBOSA1 SP000100424
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FS25R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:29156
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
2,500:¥2.9945
10,000:¥2.8702
25,000:¥2.7911
参考库存:29159
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:29162
晶体管
JFET N-Ch Matched -20V 10mA 480mW 3.8mW
40:¥161.2849
100:¥149.838
250:¥137.4645
500:¥130.854
参考库存:29165
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -30V -4.4A 700mW 130MHz
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:29168
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