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晶体管
SIHP10N40D-GE3参考图片

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SIHP10N40D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.0851
708.51
500
¥6.0907
3045.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHP10N40D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS1C201LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V LOW V-SAT SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:13838
BCX56-10,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 1A NPN MED POWER TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
参考库存:3935
BSP295 H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:3975
IRFR4105TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,000:¥3.1753
参考库存:1994
DMN2300UFD-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:16624
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