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晶体管
UJ3N065080K3S参考图片

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UJ3N065080K3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • JFET 80m? - 650V SiC Normally-On JFET
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库存:2,687(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥145.2276
145.2276
10
¥138.312
1383.12
25
¥128.0177
3200.4425
50
¥121.1021
6055.105
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
JFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Pd-功率耗散
190 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
UnitedSiC
产品类型
JFETs
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,UJ3N065080K3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:30190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:30193
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:30196
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
参考库存:4872
晶体管
MOSFET T6 40V S08FL
5,000:¥3.2318
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0171
参考库存:30201
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