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晶体管
NVMFD5C446NWFT1G参考图片

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NVMFD5C446NWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,500
¥7.5936
11390.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
127 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
39 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFD5C446NWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HN1C03FU-B(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:5422
CPH6020-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.15A 8V FT=16G
1:¥4.1471
10:¥3.4578
100:¥2.147
1,000:¥1.695
3,000:¥1.3786
参考库存:5505
IRFS7762TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
800:¥7.3337
参考库存:3129
ZVP0545GTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Chnl 450V
1:¥6.3054
10:¥5.424
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9041
参考库存:7890
ZXMN2AMCTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
3,000:¥3.2996
参考库存:4342
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