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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1116MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1116MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HN1C03FU-B(TE85L,F	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6	1:¥3.7629 10:¥2.486 100:¥1.3899 1,000:¥1.01474 3,000:¥0.87575	参考库存:5422
CPH6020-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.15A 8V FT=16G	1:¥4.1471 10:¥3.4578 100:¥2.147 1,000:¥1.695 3,000:¥1.3786	参考库存:5505
IRFS7762TRLPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET	1:¥14.8256 10:¥12.5995 100:¥10.0683 500:¥8.8366 800:¥7.3337	参考库存:3129
ZVP0545GTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Chnl 450V	1:¥6.3054 10:¥5.424 100:¥4.1697 500:¥3.6838 1,000:¥2.9041	参考库存:7890
ZXMN2AMCTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS	1:¥7.1416 10:¥6.1585 100:¥4.7234 500:¥4.181 1,000:¥3.2996 3,000:¥3.2996	参考库存:4342