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晶体管
SI3585CDV-T1-GE3参考图片

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SI3585CDV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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库存:51,423(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.1 A, 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms, 195 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC, 6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W, 1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S, 12 S
下降时间
9 ns, 28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns, 37 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 16 ns
零件号别名
SI3585CDV-GE3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3585CDV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:7534
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.1362
25:¥10.1474
100:¥9.2208
2,000:¥5.9438
参考库存:25149
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.831
参考库存:14539
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
参考库存:25154
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:4659
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