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晶体管
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IRG4BC30WPBF

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库存:8,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.5207
185.207
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537038
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 22 mo FET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
1,500:¥3.0736
参考库存:4861
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:2859
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4531
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
1:¥6.4523
10:¥5.537
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,000:¥2.9719
3,000:¥2.825
参考库存:2096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 0.47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:18455
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