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晶体管
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IRG4BC30WPBF

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库存:8,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.5207
185.207
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537038
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥4.3053
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:27069
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -200mA -150V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:5499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:8497
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0623
1,000:¥2.4634
参考库存:10569
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
1:¥4.8364
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:5201
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