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晶体管
NVMFS6H818NT1G参考图片

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NVMFS6H818NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,500
¥8.8366
13254.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS6H818NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Extremely High Voltage
4,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
50,000:¥1.4238
参考库存:15441
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
5,000:¥10.8367
参考库存:14443
晶体管
MOSFET 600V, NCH MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:30772
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:30775
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,147.9896
参考库存:30778
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