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晶体管
HN1C03FU-B(TE85L,F参考图片

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HN1C03FU-B(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
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库存:5,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.486
24.86
100
¥1.3899
138.99
1,000
¥1.01474
1014.74
3,000
¥0.87575
2627.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
集电极—射极饱和电压
42 mV
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1C03
直流电流增益 hFE 最大值
1200
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,HN1C03FU-B(TE85L,F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3492
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16837
晶体管
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.5A
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12002
晶体管
MOSFET 400V N-CH MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:6190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:6487
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