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晶体管
STW45N60DM2AG参考图片

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STW45N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:3,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.262
42.262
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.5098
13254.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW45N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW45N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:4353
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4193
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:4431
晶体管
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.4579
10:¥4.407
100:¥3.3448
500:¥2.7685
3,000:¥2.0001
6,000:查看
参考库存:169808
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:11918
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