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晶体管
BSC019N04NS G参考图片

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BSC019N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:8,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.2037
3101.85
1,000
¥4.9042
4904.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
BSC019N04NSGATMA1 BSC19N4NSGXT SP000388299
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC019N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:5042
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:6524
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
1:¥129.0121
10:¥118.6387
25:¥113.7232
100:¥100.1971
参考库存:4168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:10048
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 250mW 2.6mW
1:¥175.5003
10:¥149.2956
100:¥138.6962
250:¥127.2493
参考库存:4285
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