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晶体管
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FDMS3610S

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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6275
762.75
500
¥6.7348
3367.4
3,000
¥4.7234
14170.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
30 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms, 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
26 nC, 59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W, 2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
Power Stage PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS3610S
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
100 S, 240 S
下降时间
2 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 39 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 11 ns
单位重量
171 mg
商品其它信息
优势价格，FDMS3610S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 BR XSTR PNP
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:106916
DMC3025LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:4918
MZ0912B100Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:22533
J500-11
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -50V 20mA 50mA Current Reg
1:¥77.066
10:¥63.167
100:¥52.4094
500:¥47.799
参考库存:22536
2N4903
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥356.3794
2:¥346.7066
5:¥337.1016
10:¥327.4966
参考库存:2026
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