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晶体管
IPP086N10N3 G参考图片

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IPP086N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：3,058(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP086N10N3GXKSA1 IPP86N1N3GXK SP000680840
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP086N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:30788
DDTB123EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:30791
EFC6604R-A-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5,000:¥2.2374
10,000:¥2.147
25,000:¥2.0679
参考库存:30794
APTGT300A170G
Microsemi
晶体管
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100:¥1,857.833
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DMA261050R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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