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晶体管
IPP086N10N3 G参考图片

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IPP086N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:3,058(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
1,000
¥5.7178
5717.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP086N10N3GXKSA1 IPP86N1N3GXK SP000680840
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP086N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
1:¥64.9298
10:¥63.0879
25:¥60.3985
250:¥56.0932
1,000:¥54.4773
参考库存:1669
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.5943
10:¥17.8992
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
3,000:¥9.379
参考库存:7197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1,012.7512
5:¥981.0886
10:¥949.4373
25:¥905.0961
参考库存:1250
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
参考库存:1404
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:27213
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