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晶体管
NSB1706DMW5T1G参考图片

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NSB1706DMW5T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
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库存:13,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.147
2.147
10
¥1.4916
14.916
100
¥0.62263
62.263
1,000
¥0.42262
422.62
3,000
¥0.32996
989.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual Common Emitter
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88A/SOT-353
直流集电极/Base Gain hfe Min
80, 200
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSB1706DMW5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSB1706DMW5T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:4587
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
参考库存:3935
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
暂无价格
参考库存:35878
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:5708
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