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晶体管
STF26N60M2参考图片

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STF26N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF26N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
-
产品类型
MOSFET
上升时间
-
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
-
典型接通延迟时间
-
商品其它信息
优势价格，STF26N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF6795MTRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:9691
STGF10NC60KD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:5021
TP2535N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 25Ohm
1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
参考库存:6404
IRF6217TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18321
CSD18537NQ5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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