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晶体管
BDX34C参考图片

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BDX34C

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Silicon Pwr Trnsistr
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库存:2,252(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6951
36.951
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
70 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDX34C
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,BDX34C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥6.7574
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
2,500:¥2.7233
10,000:查看
参考库存:3584
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,194.0063
参考库存:1095
晶体管
MOSFET TRENCH 30V NCH
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
1,500:¥1.7854
参考库存:2560
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:9181
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2834
250:¥17.289
800:¥13.1419
2,400:查看
参考库存:2641
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