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晶体管
SCT3105KLGC11参考图片

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SCT3105KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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数量单价合计
1
¥130.3229
130.3229
10
¥119.7913
1197.913
25
¥114.8758
2871.895
100
¥101.2028
10120.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
137 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
4 V to 22 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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