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晶体管
STD3NK50Z-1参考图片

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STD3NK50Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 500V-3ohms Zener SuperMESH 2.3A
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数量单价合计
6,000
¥1.6724
10034.4
12,000
¥1.6046
19255.2
24,000
¥1.5368
36883.2
48,000
¥1.5142
72681.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK50Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD3NK50Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:32978
NSVBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUALL 22/ 47
1:¥3.6838
10:¥2.4069
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
4,000:¥0.5989
参考库存:32981
MMRF1009HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:32984
PSMNR58-30YLHX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
1,500:¥7.91
3,000:¥7.3676
6,000:¥7.0964
10,500:¥6.8252
参考库存:32987
2N3013
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast SW
2,000:¥4.4974
10,000:¥4.3392
参考库存:32990
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