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FB10R06KL4G

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数量单价合计
1
¥332.559
332.559
5
¥325.1123
1625.5615
10
¥310.2754
3102.754
25
¥297.2126
7430.315
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
2.5 mm
长度
45.6 mm
宽度
33 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FB10R06KL4GBOMA1 SP000100276
商品其它信息
优势价格，FB10R06KL4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
暂无价格
参考库存:30702
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4852
MRF6VP3091NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
500:¥682.1132
参考库存:30707
STFU13N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1,000:¥6.8026
2,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30710
NGTD8R65F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECTIF
1,072:¥3.2318
2,500:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:30713
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