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晶体管
JANTX2N5339参考图片

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JANTX2N5339

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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库存:2,151(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥142.3122
142.3122
10
¥129.3172
1293.172
25
¥119.6444
2991.11
50
¥113.1808
5659.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
700 mV
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
240 at 2 A, 2 VDC
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 at 2 A, 2 VDC
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTX2N5339的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 650V
1:¥1,132.7007
5:¥1,110.4171
10:¥1,058.6292
25:¥1,036.4134
参考库存:2109
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
800:¥8.8366
参考库存:5162
晶体管
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
1:¥41.7196
100:¥40.115
500:¥38.194
参考库存:7690
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1642
参考库存:3092
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
1:¥15.9782
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.5259
参考库存:4150
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