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晶体管
STGB30H60DFB参考图片

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STGB30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 4.5A 78mOhm SGL N-CH
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:9140
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1100V/3A
1:¥7.8422
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
参考库存:5862
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
2,500:¥3.0171
10,000:查看
参考库存:6129
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 120V 180W PNP
1:¥34.9622
10:¥29.7416
100:¥25.7414
200:¥24.4306
参考库存:4449
晶体管
MOSFET SO-8 SGL P-CH -20V
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
2,500:¥1.7628
参考库存:7859
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