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晶体管
STGB30H60DFB参考图片

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STGB30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 3.3mOhm 39nC Qg Logic Level
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
1,000:¥5.5257
4,000:¥5.5257
参考库存:6440
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.7913
参考库存:39008
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
1:¥27.2782
10:¥23.1311
100:¥20.0575
250:¥19.0518
500:¥17.063
800:¥17.063
参考库存:6113
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC
1:¥10.2943
10:¥8.8366
100:¥6.7461
500:¥5.9664
800:¥4.7121
参考库存:5431
晶体管
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:6313
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