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晶体管
STGWT80V60F参考图片

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STGWT80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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数量单价合计
1
¥87.6767
87.6767
10
¥79.3034
793.034
25
¥75.6083
1890.2075
100
¥65.6191
6561.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7343
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:7647
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥82.603
10:¥74.3088
25:¥67.6983
50:¥63.0879
参考库存:4075
晶体管
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:10628
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
参考库存:6404
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