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晶体管
STGWT80V60F参考图片

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STGWT80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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库存:4,041(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.6767
87.6767
10
¥79.3034
793.034
25
¥75.6083
1890.2075
100
¥65.6191
6561.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT80V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:9087
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:6223
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:11319
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
5,000:¥6.2489
10,000:查看
参考库存:14103
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,000:¥2.2939
参考库存:8005
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