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晶体管
GS66508P-E05-MR参考图片

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GS66508P-E05-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:4,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥180.2689
180.2689
10
¥174.4268
1744.268
25
¥166.3586
4158.965
250
¥154.5275
38631.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
10 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8.7 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66508P-E05-MR
商品其它信息
优势价格,GS66508P-E05-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:6417
晶体管
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
1:¥84.75
10:¥77.9135
25:¥74.693
100:¥65.7773
参考库存:5807
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:16395
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:3448
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 250 Amp
1:¥624.099
5:¥611.7255
10:¥586.131
25:¥567.2374
参考库存:3435
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