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晶体管
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FS6R06VE3_B2

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库存:3,764(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥123.5542
123.5542
10
¥113.565
1135.65
25
¥108.8868
2722.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
40.5 W
封装 / 箱体
EASY750
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
FS6R06VE3B2BOMA1 SP000100310
单位重量
11.100 g
商品其它信息
优势价格,FS6R06VE3_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:43168
晶体管
MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:2917
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:3180
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:96438
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
2,500:¥3.277
参考库存:4954
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