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晶体管
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F3L150R07W2E3_B11

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数量单价合计
1
¥527.5857
527.5857
5
¥517.8225
2589.1125
10
¥504.4546
5044.546
25
¥494.5445
12363.6125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
F3L150R07W2E3B11BOMA1 SP000638568
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格，F3L150R07W2E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH240N75F3-6
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2,000:查看
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参考库存:38616
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5:¥185.6477
10:¥179.8056
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参考库存:3795
MV2N4856
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥500.2284
参考库存:38621
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