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晶体管
IPD079N06L3GBTMA1参考图片

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IPD079N06L3GBTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,277(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
2,500
¥2.938
7345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
G IPD079N06L3 IPD79N6L3GXT SP000453626
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD079N06L3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.537
10:¥4.4748
100:¥3.4013
500:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥2.034
参考库存:7121
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥97.2817
10:¥88.4451
25:¥81.8346
50:¥77.3824
参考库存:1148
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥104.1182
5:¥100.0502
10:¥96.276
25:¥88.4451
参考库存:1135
晶体管
MOSFET 40V, 170A, Single N- Channel Power MOSFET
1:¥12.8368
10:¥11.3678
100:¥8.9157
500:¥6.9608
2,500:¥4.9833
5,000:查看
参考库存:2577
晶体管
MOSFET 40V CSD18503Q5A 8-VSONP
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3224
250:¥7.3224
500:¥6.4749
参考库存:1673
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