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晶体管
IPI90R340C3参考图片

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IPI90R340C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3
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库存:3,370(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥38.9624
389.624
100
¥33.7305
3373.05
250
¥32.0468
8011.7
500
¥28.7359
14367.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPI90R340C3XKSA1 IPI9R34C3XK SP000683082
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IPI90R340C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥360.6847
5:¥349.7802
10:¥339.5537
25:¥318.3436
参考库存:2159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥144.1541
10:¥131.0122
25:¥121.249
50:¥114.6498
参考库存:2145
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
1:¥170.4266
5:¥168.6638
10:¥157.2169
25:¥150.1431
参考库存:2279
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:3017
晶体管
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:4784
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