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晶体管
BCY58-VII参考图片

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BCY58-VII

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.6841
4842.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY58-VII PBFREE
商品其它信息
优势价格,BCY58-VII的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:4587
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
参考库存:3935
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
暂无价格
参考库存:35878
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:5708
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