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晶体管
BCY58-VII参考图片

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BCY58-VII

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.6841
4842.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY58-VII PBFREE
商品其它信息
优势价格,BCY58-VII的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.8195
2,500:¥5.8195
参考库存:6442
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.52206
24,000:查看
参考库存:12014
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:14297
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
参考库存:4887
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