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晶体管
RQ3G150GNTB参考图片

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RQ3G150GNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET
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库存:3,216(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9495
69.495
100
¥5.3449
534.49
500
¥4.7234
2361.7
3,000
¥3.2996
9898.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62.1 ns
典型接通延迟时间
16.8 ns
零件号别名
RQ3G150GN
商品其它信息
优势价格,RQ3G150GNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/30A RC IGBT FSII
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:3910
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.1256
参考库存:4865
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
2,500:¥0.16159
10,000:¥0.13786
参考库存:16466
晶体管
MOSFET 8A,12V,P Channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:9804
晶体管
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
800:¥5.198
参考库存:5357
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