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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.2 V
在25 C的连续集电极电流	40 A
栅极—射极漏泄电流	200 nA
Pd-功率耗散	103 W
封装 / 箱体	Q0BOOST
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
商标	ON Semiconductor
安装风格	Press Fit
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	24
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，NXH80B120H2Q0SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RM2004NE	Rectron	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SOT-23-6L MOSFET	6,000:¥0.71416 9,000:¥0.65314 24,000:¥0.64523	参考库存:37767
QPD1017	Qorvo	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET	18:¥4,072.52	参考库存:37770
JAN2N5152U3	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥2,096.5794	参考库存:37773
ALD910016SAL	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V	50:¥21.6734 100:¥20.2835 250:¥18.2834 500:¥16.4415	参考库存:37776
2N333T2	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	100:¥425.5354	参考库存:37779