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晶体管
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VRF2933

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格，VRF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:2861
DNLS350E-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16545
SI2301CDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.9211
10:¥2.6555
100:¥1.7854
500:¥1.4351
3,000:¥1.4351
参考库存:31860
DMP31D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16508
SBC857BWT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥3.1527
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:19803
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