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晶体管
STGW20NC60V参考图片

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STGW20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp
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库存:3,920(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.4991
38.4991
10
¥32.7361
327.361
100
¥28.3517
2835.17
250
¥26.894
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW20NC60V
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:19818
晶体管
MOSFET Auto Q101 300V SGL N-CH HEXFET
1:¥45.4147
10:¥38.646
100:¥33.5045
250:¥31.7304
参考库存:3027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP NPN 100mA -50V
1:¥3.3787
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5199
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.6832
参考库存:2641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:4012
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