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晶体管
SIHG47N60E-GE3参考图片

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SIHG47N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:5,044(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.3932
673.932
25
¥61.3929
1534.8225
100
¥55.4039
5540.39
250
¥50.9404
12735.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
148 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG47N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 60V 200W NPN
1:¥49.4827
10:¥44.7254
50:¥42.6462
100:¥37.0414
参考库存:2909
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.3053
10:¥2.8363
100:¥1.7628
500:¥1.582
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:5592
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
500:¥16.8257
1,000:¥14.2154
参考库存:4536
晶体管
IGBT 晶体管 ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
800:¥9.1417
参考库存:3201
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:8498
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