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晶体管
IRGB10B60KDPBF参考图片

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IRGB10B60KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz
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库存:4,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.2889
3822.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001542270
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRGB10B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1,000:¥3.8646
2,000:¥3.4239
10,000:¥3.2996
25,000:¥3.1979
参考库存:33388
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:33391
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF
1,000:¥9.2208
2,000:¥8.6106
5,000:¥8.2942
10,000:¥7.9891
参考库存:33394
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 20A 32W 1600pF 23nC
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:33397
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:33400
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