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晶体管
IRGB10B60KDPBF参考图片

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IRGB10B60KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz
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数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.2889
3822.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001542270
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRGB10B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1K50GNR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:4636
SIHG35N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥51.5619
10:¥42.7253
100:¥35.1882
250:¥34.1147
500:¥30.5778
参考库存:4939
IPA60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5038
ZXTP56020FDBQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:6657
MRFX600HR5
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:4642
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