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晶体管
SIZF906ADT-T1-GE3参考图片

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SIZF906ADT-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
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库存:1,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥6.8026
3401.3
3,000
¥5.0172
15051.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5F-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC, 100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W, 83 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
130 S, 130 S
下降时间
40 ns, 30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 45 ns
商品其它信息
优势价格,SIZF906ADT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BSS138AKA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:18501
晶体管
达林顿晶体管 PNP High Voltage Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:7893
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:8179
晶体管
MOSFET
1:¥46.2622
10:¥41.7987
25:¥39.7986
100:¥34.578
参考库存:2479
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -30V
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:20231
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