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晶体管
APT150GN60J参考图片

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APT150GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:1,029(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥224.2937
224.2937
5
¥214.2254
1071.127
10
¥207.5471
2075.471
25
¥190.7214
4768.035
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
536 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT150GN60J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.04525
参考库存:7198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low VCE(sat) Transistor
1:¥3.7629
10:¥2.3843
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:8374
晶体管
MOSFET BUK7M45-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:3760
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:9293
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:15377
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