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晶体管
APT150GN60J参考图片

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APT150GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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数量单价合计
1
¥224.2937
224.2937
5
¥214.2254
1071.127
10
¥207.5471
2075.471
25
¥190.7214
4768.035
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
536 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT150GN60J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 2Ohm
1:¥9.379
10:¥9.2208
25:¥7.684
100:¥7.0512
2,000:¥4.859
4,000:查看
参考库存:2814
晶体管
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
2,500:¥2.1922
参考库存:6049
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:5307
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 11nC
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
4,000:¥1.4012
参考库存:9295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
2,500:¥1.09158
参考库存:7218
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