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晶体管
DDA123JU-7-F参考图片

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DDA123JU-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 47K
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库存:2,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.05
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDA123
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DDA123JU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:77450
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:5238
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
参考库存:6089
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:2539
晶体管
MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.486
参考库存:6289
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