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晶体管
STB6N65M2参考图片

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STB6N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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库存:1,562(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.605
960.5
500
¥8.3733
4186.65
1,000
¥6.9721
6972.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
系列
STB6N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:17734
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
4,000:¥1.5029
参考库存:6908
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.2997
10:¥4.3053
100:¥3.2657
500:¥2.7007
1,000:¥2.1583
3,000:¥1.9549
参考库存:7856
晶体管
MOSFET Small-Signal MOSFET
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:23797
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.5596
1,000:¥4.3957
2,500:¥4.3957
参考库存:7916
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