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晶体管
STL15N60M2-EP参考图片

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STL15N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
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数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.6842
1168.42
500
¥10.2152
5107.6
3,000
¥7.8422
23526.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
418 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL15N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，STL15N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT13003EU-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
参考库存:3849
APT10M19BVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥128.0968
5:¥123.1022
10:¥118.4918
25:¥108.8868
参考库存:2527
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 64A
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:5515
MMBTA06WT1G
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V NPN
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:49957
PMBT2369,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 200MA 15V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:18305
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